一、深圳市易捷测试技术有限公司单面探针台（IFE/SiPH）特性带来的测试影响 

1. 仅顶部单侧光路，只能上侧耦

合仅适配光栅、边缘等单面出光硅光芯片，无法测试正面焊盘、背面光栅分离的COUPE CPO异构芯片；若强行翻面分次测，会引入定位偏差，耦合损耗、PDL测试数据重复性差，无法精准表征CPO真实电光性能。 

2. IFE宽温通用机身

多品类兼容原生-60℃~300℃无结露温控，可同步完成硅光、射频、毫米波、高低温可靠性WLR测试，一套设备覆盖无源/有源硅光研发、中试量产，降低设备投入；SiPH机型预装光路，开箱即可做纯光电调试，但射频拓展弱，混合测试场景受限。 

3. 自动化分层匹配不同产能

半自动机型适合实验室小批量MPW流片验证；TS3500全自动机型搭载晶圆仓对接MES，可稳定大批量单面硅光CP量产，提升良率检测效率。 

4. 成本与运维优势

无底部双层光路，结构简单、占地小、采购与运维成本更低，是常规硅光产线高性价比选择。 

 二、双面探针台（DS/DP80/DTS650）特性带来的测试影响 

1. 上下双层同步光路，上下同步电光检测

上侧探针通电测EIC高速电性，底部光纤耦合背面光栅，无需翻面，消除二次定位误差，耦合损耗、消光比、眼图等关键指标测试精度、重复性大幅提升，是台积电COUPE英伟达CPO芯片必备测试方案。 

2. 覆盖晶圆/裸Die多形态样品

DS系列支持整片300mm晶圆量产；DP80紧凑型机型专供裸Die研发调试；DTS650系列高密度电性通道，DTS650-DI直连ATE，实现CPO裸片大批量前置分选，提前筛除键合、光路缺陷，减少后端封装报废。 

3. 可切换单面模式，一机两用

既能测双面CPO芯片，也可兼容普通单面硅光晶圆，设备复用性更强，但整机光路复杂，采购、维护成本高于单面台。 

4. 双路视觉与温度补偿校准

上下独立成像+温漂自动校准，高低温工况下仍能稳定自动寻光耦合，解决CPO微环调制器温漂带来的耦合失效问题，适配可靠性循环测试。 

 三、通用共性特性对全品类硅光测试的正向影响 

1. 纳米级六轴自动耦合算法，大幅缩短寻光时间，提升测试吞吐； 

2. SENTIO VCE虚拟防撞保护，避免光纤探针、超薄晶圆破损，降低测试物料损耗； 

3. 模块化硬件+兼容第三方仪表，可按需扩展多通道光纤阵列、毫米波射频模块，适配从无源分光器到高速调制器、PD全品类硅光器件表征； 

4. 配套完整自动化测试软件，自动生成晶圆良率Map，实现研发数据追溯与量产自动化管控。