GBITEST-MPI 高压 / 高功率（HV/HP）探针台全系列产品及完整解决方案 

深圳市易捷测试技术有限公司以MPI探针台为例，帮你梳理高功率探针台解决方案，MPI高压探针台（也叫大功率探针台）面向功率半导体（SiC/GaN/IGBT/MOSFET）、功率 IC、晶圆可靠性 WLR、高压器件表征、ESD/TLP 瞬态大电流测试，统一硬件上限：10kV 同轴 / 3kV 三轴、脉冲 600A，分为手动研发型、半自动工程型、全自动量产型三大产品线，配套专用高压探针、抗电弧、全温区屏蔽、自动化软件完整方案。

 一、手动高压高功率系列（实验室 / 高校 / 小批量研发） 

定位：灵活低成本、单颗 / 小片晶圆表征、器件建模、失效分析，无自动步进，人工操控。 

1. TS150-HP（6 英寸 / 150mm 手动高功率）   

TS150-HP手动探针台     

• 晶圆尺寸：最大 150mm（6 寸），兼容裸片、小片、Taiko 薄晶圆（50μm） 

• 电气规格：10kV 同轴 / 3kV 三轴，脉冲 600A；镀金载台极低接触电阻 

• 温控：标准室温～300℃；可选 - 60℃低温制冷模块 

• 核心技术：ArcShield™抗电弧屏蔽 DarkBox、气浮 XY 载台、单手摇杆操控；最多 10 路高压微定位器 / 4 路大电流多指探针 

• 适用场景：高校实验室、第三代半导体材料研发、器件静态 I-V、击穿电压 BV、导通电阻 Rds_on 测试 

2. TS200-HP（8 英寸 / 200mm 手动高功率）  TS200-HP手动8寸探针台     

• 晶圆尺寸：200mm（8 寸），兼容整片功率晶圆 

• 结构升级：更大开放式载台，支持多探针阵列同时布置 

• 屏蔽：内置 EMI 避光 DarkBox，飞安级 fA 漏电测量 

• 拓展：可后期升级半自动电机、高低温系统、自动探针卡座 

• 典型客户：IDM 研发实验室、功率器件 Foundry 工艺开发部 MPI Corporation   

二、半自动高压高功率系列（工程验证 / 中试 / 可靠性 WLR） 

定位：可编程自动步进、批量晶圆工程测试、高低温可靠性，带安全互锁屏蔽舱，分为TS2000-DP（开放经济型）、TS2000-HP（全屏蔽旗舰 8 寸） 

1. TS2000-DP DarkBox 开放型高功率系统   TS2000-DP半自动探针台    

 • 晶圆：200mm（8 寸），开放式平台，成本最优 

• 温度：标准 25℃~300℃高温，无标配低温，可后期加装制冷 

• 高压电流：10kV/600A 脉冲；ArcShield 防电弧衬垫、防电弧探针卡支架 

• 定位：12 路三轴 HV 定位器 / 4 路 400A 多指大电流定位器 

• 优势：模块化可升级，未来可扩容至 15kV 高压，投入保值；适合预算有限、仅高温测试的产线中试 • 应用：功率器件高温老化、静态参数分选、工艺 WAT 监控 

2. TS2000-HP 全屏蔽 ShielDEnvironment™ 8 寸高压旗舰  TS2000-HP全屏蔽半自动台     

• 核心独家：ShielDEnvironment™完整 EMI/RFI 避光全屏蔽舱，-60℃ ~ +300℃全温区，支持极低温雪崩、高温可靠性 

• 安全：安全光幕互锁、STM 安全测试管理系统，高低温可安全装卸晶圆 

• 载台：镀金真空吸盘，适配 50μm 超薄 Taiko 晶圆，可选 Taiko 专用载台 • 测量性能：fA 级超低漏电，适合 SiC/GaN 反向漏电流、TDDB、HCI、BTI 晶圆级可靠性 WLR 

• 自动化：SENTIO® 软件编程步进，批量多点自动测试，兼容是德 / 吉时利高压源、脉冲大电流源、TLP/ESD 测试仪 

• 主流场景：第三代半导体完整表征、车载功率器件可靠性实验室、晶圆厂工程验证线  

三、全自动量产高压高功率系列（12 寸晶圆量产 CP / 可靠性） 定位：24 小时无人量产、大批量功率晶圆 CP、全温区自动分选，TS3000-HP（12 寸基础）、TS3500-HP（12 寸高端量产） 

1. TS3000-HP 300mm 全自动高功率探针台 

• 晶圆：300mm（12 寸）标准量产尺寸 

• 行程精度：XY 310×310mm，分辨率 0.5μm，重复定位 ±1μm；Z 轴 30mm 升降 

• 电气：10kV/600A 脉冲，UHP 超大电流多指探针接口，支持整片晶圆探针卡测试 

• 环境：ShielDEnvironment 全屏蔽，-60~300℃宽温；主动隔震底座 

• 自动化：自动晶圆传输、预对准、自动探针卡更换、批量数据自动导出 

• 适用：12 寸 IGBT、SiC MOS 量产 CP 测试、在线高低温分选  

2. TS3500-HP 300mm 高端全自动超高功率量产系统 当前 MPI 功率半导体旗舰机型，适配先进 8/12 寸第三代半导体量产线   TS300-SE同架构全自动平台     

• 核心升级：强化抗电弧 WaferWallet® 隔离模块，超高电压长时间连续量产无打火 

• 载台优化：大流量真空，超薄 50μm 晶圆稳定吸附，支持整片 Taiko 翘曲晶圆 

• 探针扩展：最多 16 路高压通道、12 指 UHP 超大电流探针，单通道脉冲 250A，多路并联 600A • 软件：SENTIO 量产版，支持多条件循环老化、失效数据自动分类、MES 工厂对接 

• 专属方案：车规 SiC/GaN 晶圆量产、高压功率 IC 在线可靠性老化 Burn-in、瞬态大电流 ESD 批量测试 

 四、核心配套高压 / 高功率硬件解决方案 

1. UHP Ultra High Power 专用高压大电流探针（全系通用） 

• 电压规格：单针同轴 10kV / 三轴 guarded 3kV，防沿面爬电陶瓷绝缘 

• 电流规格：多指并联设计（1/4/6/8/12 指） ◦ 1 指：20A；4 指 80A；8 指 160A；12 指 250A；多探针并联最高脉冲 600A   

• 材质：钨铼 WRe 针尖，低接触电阻，耐受高温 300℃无氧化；可更换针尖降低使用成本 

• 接口：SHV 10kV 高压接头、Triax 三轴低漏电接头、大电流铜排端子 

2. 三大高压安全核心技术 

1）. ArcShield™ 防电弧系统载台与探针台之间绝缘屏蔽衬垫，利用帕邢定律抑制高低压间隙打火，杜绝晶圆击穿、探针烧毁；DP/HP/ 全自动全系标配。 

2）. WaferWallet® 高压隔离载片盒（全自动 TS3500-HP 选配）整片晶圆高压测试时隔离边缘电场，适合 10kV 长期量产。 

3）. ShielDEnvironment™ 全屏蔽舱（HP 全自动系列标配，DP 可选）全金属避光 + EMI 屏蔽，隔绝外界工频干扰，实现飞安级漏电测量，兼顾低温 - 60℃与高温 300℃。  

3. 温控完整方案 

• 高温模块：25℃ ~ 300℃，氮气吹扫防氧化，适配功率器件高温导通 / 击穿测试 

• 高低温一体化模块（HP / 全自动）：-60℃ ~ +300℃ IceFree 无结霜技术，SiC 雪崩、低温可靠性、车载器件极限温度验证 

• 超薄晶圆温控载台：Taiko 专用真空孔，50μm 超薄晶圆不变形、温度均匀  4. SENTIO® 高功率专用控制软件 全系统一控制平台，高压专属功能： 

• 高压上电阶梯保护、电弧自动检测急停 • 多点矩阵自动步进测试、I-V/C-V/BV 批量扫描 

• WLR 可靠性循环（HCI/BTI/TDDB）自动时序 

• TLP/CDM/ESD 瞬态大电流同步触发 • 测试数据自动归档、报表导出、对接产线 MES 系统  

五、分场景完整成套解决方案 

方案 1：高校 / 科研院所 研发表征方案（TS150-HP/TS200-HP 手动台） 配置：手动 HP 探针台 + UHP 多指高压探针 + 高低温冷热台 + 吉时利高压源 / 脉冲大电流源 + 探针台显微镜用途：SiC/GaN 材料研发、单芯片器件建模、击穿电压、导通电阻、漏电基础特性测试 

方案 2：功率半导体研发实验室 工程验证方案（TS2000-HP 8 寸半自动） 配置：TS2000-HP 全屏蔽高低温系统 + 多路 UHP 高压探针组 + TLP/ESD 测试仪 + 晶圆级可靠性 WLR 软件包用途：车规功率器件可靠性验证、高低温循环老化、晶圆级失效分析、新工艺评估 

方案 3：中试 / 小批量产 经济型方案（TS2000-DP） 配置：TS2000-DP 开放 DarkBox + 高压探针卡支架 + 自动步进 SENTIO 软件 + 高温载台用途：8 寸功率晶圆小批量 CP 分选、高温静态参数筛选，预算友好、可后期升级低温 / 全屏蔽 

方案 4：12 寸功率晶圆量产全自动方案（TS3500-HP） 配置：TS3500-HP 全自动传输平台 + WaferWallet 抗电弧模块 + 整片高功率探针卡 + 全温区温控 + MES 对接量产软件用途：SiC MOS、IGBT、功率 IC 12 寸大规模量产 CP、在线高低温分选、晶圆级批量老化 Burn-in

六、全系产品核心参数对比简表格：

七、主流应用领域

1. 第三代半导体：SiC MOSFET、SiC 二极管、GaN HEMT 晶圆级高压 / 大电流表征

2. 功率器件：IGBT、功率 MOS、高压整流器、车载功率模块裸片测试

3. 晶圆级可靠性 WLR：TDDB、HCI、BTI、雪崩耐压、高温反向漏电流

4. 瞬态测试：TLP 传输线脉冲、CDM/HBM ESD 晶圆级抗静电能力

5. 车规半导体高低温极限验证、航空航天高压功率器件研发

6. MEMS 高压器件、功率 IC、新能源快充芯片在片测试