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MPI探针台设备
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MPI探针台|高压大电流半自动探针台TS2000-HP/TS3000-HP/TS200-HP

MPI探针台|高压大电流半自动探针台TS2000-HP/TS3000-HP/TS200-HP

TS2000-HP半自动化探针台测试系统可提供8英寸及以下晶圆器件的高功率测量,先进的ShielDEnvironment™可提供低噪声和屏蔽的测试环境。产品信息:安全系统采用可互锁的安全光幕,
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探针台|全自动探针台|硅光晶圆测试系统|半自动探针台|手动探针台|国产探针台|Hanwa ESD/ TLP测试仪|CDM测试机|晶圆级ESD测试仪|芯片HCI/BTI/TDDB/DCEM可靠性测试设备、满足实验室研发和晶圆厂量产的多种需求。广泛应用于:WAT/CP测试、I-V/C-V测试、RF/mmW测试、高压/大电流测试、在片wlr、在片老化burning、高低温测试、光电器件测试(硅光、CMOS,SPAD传感器等)、晶圆级失效分析、芯片ESD测试、半导体工艺可靠性验证、封装测试等领域

产品概述
产品规格表
外形尺寸


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MPI TS2000-HP半自动化探针台测试系统可提供8英寸及以下晶圆器件的高功率测量,先进的全屏蔽ShielDEnvironment™可提供低噪声和屏蔽的测试环境。



产品信息:

安全系统

采用可互锁的安全光幕,可通过互锁系统关闭仪器,保护用户免受意外高压冲击,该系统具有后门,并由互锁保护,以提供简便的初始安全测量设置。


TS2000-HP_Light-Curtain (1)


ShielDEnvironment™

MPI ShielDEnvironment™是一个高性能的微暗室屏蔽系统,可为超低噪声、低电容测量提供出色的EMI和不透光的屏蔽测试环境。为了防止卡盘和压盘之间产生电弧,TS2000-HP卡盘专门设计了ArcShield™。

TS2000-HP_Light-Curtain


高压探针(HVP)

低泄漏探头专门设计,可承受高达10kV(同轴)和3kV(三轴)的高压。可选择多种连接器选项,如Keysight Triax / UHV,Keithley Triax / UHV,SHV或Banana等。

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大电流探针(HCP)

专为用于高达200A(脉冲)的大电流晶片测量而设计的高性能探针。MPI多指大电流探头采用单片结构,可有效处理大电流并提供低接触电阻。

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高功率测试系统

该测试系统提供了一个一体化的解决方案,用于表征2极和3极功率器件,如场效应(FET)、双极结(BJTs)晶体管、二极管、电容器(高达3 kV和100 A)。只要插入一个DUT,就可以测量断开状态和接通状态的所有相关参数以及特性电容(Ciss、Coss Crss)。IV特性可以在脉冲模式下进行,也可以在直流模式下进行。这样可以提高效率并防止任何重新布线错误。


超快动态RDS(on)

超快速动态RDS(on)测试是被设计用来表征GaN晶体管的特性的。电力电子学的一个关键要求是在从高压离态切换到低压导通状态后立即获得非常低的导通电阻(RON)。超快动态RDS(on)测试能够在关闭和打开状态之间切换后立即测量RDS(on)。第一个RDS(on)值在大约1 us后生成。该系统是为高达100A(脉冲电流)或高达1kV电压而设计的。由于探针的特殊设计,可以测量更多参数(泄漏或者其他)。


自动化晶圆装载系统

自动化的单晶片装载机和安全测试管理提供了独特的功能,可以在任何温度下装载/卸载晶片。装载或卸载晶片不再需要冷却或加热到环境温度。这样可以节省大量的停机时间,并显着提高MPI测试系统的整体效率,同时,管理员方便的登录过程有利于产品的设置和保护。

TS2000-HP_Liquid-Tray

可选的防电弧液体托盘

专门设计的防电弧液体托盘,只需放在大功率卡盘表面,即可用于抑制电弧。晶圆可以安全地放置在托盘内,浸没在液体中进行无电弧高压测试。


软件套件SENTIO®

MPI自动工程探针系统由独特且革命性的多点触摸操作控制SENTIO®软件套件,简单直观的操作节省了大量的培训时间。“滚动”,“缩放”,“移动”命令模仿了现代智能移动设备,使每个人都可以在短短几分钟内成为专家。在活动应用程序与其余APP之间的切换仅需简单的手指操作即可。对于RF应用系统,无需切换到另一个软件平台——MPI RF校准软件程序QAlibria®与SENTIO®完全集成在一起,遵循单一操作概念方法,易于使用。


推荐应用方案:功率半导体研发实验室 工程验证方案(TS2000-HP 8 寸半自动)

配置:TS2000-HP 全屏蔽高低温系统 + 多路 UHP 高压探针组 + TLP/ESD 测试仪 + 晶圆级可靠性 WLR 软件包

用途:车规功率器件可靠性验证、高低温循环老化、晶圆级失效分析、新工艺评估


主流应用领域

  1. 第三代半导体:SiC MOSFET、SiC 二极管、GaN HEMT 晶圆级高压 / 大电流表征

  2. 功率器件:IGBT、功率 MOS、高压整流器、车载功率模块裸片测试

  3. 晶圆级可靠性 WLR:TDDB、HCI、BTI、雪崩耐压、高温反向漏电流

  4. 瞬态测c:TLP 传输线脉冲、CDM/HBM ESD 晶圆级抗静电能力

  5. 车规半导体高低温极限验证、航空航天高压功率器件研发

  6. MEMS 高压器件、功率 IC、新能源快充芯片在片测试



技术优势:

1、适合至高 10kV / 600A (脉冲)的晶圆级高功率组件量测

2、提供载片下的高功率动、静态参数的测试

3、晶圆载物台表面镀金,接触电阻面积小;真空吸孔优化,适合装载至薄 50 µm 的薄晶圆

4、可选配搭载 Taiko 晶圆载物台

5、提供抗电弧解决方案

6、MPI ShielDEnvironment™ 屏蔽环境

7、专为 EMI / RFI / Light-Tight 屏蔽所设计的精密量测环境

8、支援飞安级低漏电值量测

9、温度量测范围 -60 °C to 300 °C


全系高功率探针台产品核心参数对比简表:


型号晶圆尺寸自动化等级标准温度标配屏蔽最大电气规格核心定位
TS150-HP150mm手动RT~300℃DarkBox10kV/600A 脉冲6 寸科研研发
TS200-HP200mm手动RT~300℃DarkBox10kV/600A 脉冲8 寸实验室表征
TS2000-DP200mm半自动RT~300℃基础 DarkBox10kV/600A 脉冲经济型中试高温
TS2000-HP200mm半自动-60~300℃ShielDEnvironment 全屏蔽10kV/600A 脉冲8 寸全温区可靠性
TS3000-HP300mm全自动-60~300℃全屏蔽10kV/600A 脉冲12 寸基础量产
TS3500-HP300mm全自动-60~300℃全屏蔽 + WaferWallet10kV/600A 脉冲12 寸高端车规量产





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