EMMI（Electron - Beam - Induced Current Microscopy）失效分析测试系统（主要用于半导体器件和集成电路的失效分析）。

失效分析微光显微成像系统

产品简介：

1，LUXET InGaAs 100 是一款微光显微成像系统，配备了全自动运动系统、深度制冷型InGaAs相机、不同倍率的显微镜头以及锁相测量模式，可以适用于半导体器件的失效点定位。

2，Thermo100 是一款全国产化的锁相红外显微成像系统。Thermo100配备了全自动运动系统、高灵敏度制冷型中波红外相机、广角镜头与大倍率显微镜头、高压源表，可以适用于晶圆、电路板等多种不同种类器件的失效点定位

3，Phose-X是一种高分辨率发射显微镜，它通过检测到半导体设备缺陷引起的弱光排放和热排放来查明半导体设备中的故障位置。
由于Phose-X可与通用专家结合使用，因此您可以使用已经熟悉的示例设置来执行各种分析任务。安装可选的激光扫描系统允许获取高分辨率模式图像。不同类型的检测器可用于各种分析技术，例如排放分析，热分析和IR-Obirch分析。 Phemos-X支持从Prober插座板到大型300毫米晶圆厂的各种任务和应用。

产品信息：

探测器
InGaAs
暗电流
<600e/P/S
面阵尺寸
640X512
输出噪声
<30E-
像元间距
15um
高增益满阱
33Ke-
制冷方式
TEC+水冷
中增益满阱
120Ke-
制冷温度
-40摄氏度
低增益满阱
1400Ke-

技术优势：

1，深度制冷InGaAs相机：

波长范围覆盖900-1700nm，深度制冷InGaAs相机。

2，不同倍率的显微镜：

20X

50X

100X

3,LOCK-IN

提供锁相测量模式

4，电压，电流输出：输出电压不超过3000V，输出电压不大于3A

应用方向

主要应用于氧化层漏电、缺陷；连接点毛刺；闩锁现象。

探测器	InGaAs	暗电流	<600e/P/S
面阵尺寸	640X512	输出噪声	<30E-
像元间距	15um	高增益满阱	33Ke-
制冷方式	TEC+水冷	中增益满阱	120Ke-
制冷温度	-40摄氏度	低增益满阱	1400Ke-

探测器InGaAs暗电流<600e/P/S面阵尺寸640X512输出噪声<30E-像元间距15um高增益满阱33Ke-制冷方式TEC+水冷中增益满阱120Ke-制冷温度-40摄氏度低增益满阱1400Ke-

技术优势：

应用方向

探测器
InGaAs
暗电流
<600e/P/S
面阵尺寸
640X512
输出噪声
<30E-
像元间距
15um
高增益满阱
33Ke-
制冷方式
TEC+水冷
中增益满阱
120Ke-
制冷温度
-40摄氏度
低增益满阱
1400Ke-