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脉冲IV测试设备
Auriga 标准 脉冲PIV 220V & 600V

Auriga 标准 脉冲PIV 220V & 600V

产品简介:FOCUS第五代脉冲IV/RF表征系统提供无与伦比的性能,能够以极高的速度和精度完成测量。脉冲IV(电流-电压)测量已成为表征场效应晶体管(FET)和双极结型晶体管(BJT)等有源器件电流-
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探针台|全自动探针台|硅光晶圆测试系统|半自动探针台|手动探针台|国产探针台|Hanwa ESD/ TLP测试仪|CDM测试机|晶圆级ESD测试仪|芯片HCI/BTI/TDDB/DCEM可靠性测试设备、满足实验室研发和晶圆厂量产的多种需求。广泛应用于:WAT/CP测试、I-V/C-V测试、RF/mmW测试、高压/大电流测试、在片wlr、在片老化burning、高低温测试、光电器件测试(硅光、CMOS,SPAD传感器等)、晶圆级失效分析、芯片ESD测试、半导体工艺可靠性验证、封装测试等领域

产品概述
产品规格表
外形尺寸


产品简介:

FOCUS第五代脉冲IV/RF表征系统提供无与伦比的性能,能够以极高的速度和精度完成测量。脉冲IV(电流-电压)测量已成为表征场效应晶体管(FET)和双极结型晶体管(BJT)等有源器件电流-电压特性的首选方法。

产品特点:

随着 GaN HEMT、LDMOS、SiC 及石墨烯等高功率器件日益普及,对电流与电压指标的要求也在不断提升。Auriga MEM™ 是 Auriga 推出的脉冲 IV 功能,将电流分辨率提升至最大电流的 0.01%。借助 Auriga 先进校准算法及外置是德科技(Keysight)数字万用表(DMM),Auriga MEM 可将直流测量面直接精准延伸至被测器件端。

产品功能及应用方向:

Auriga Standard PIV 是 Focus 第五代纳秒级脉冲 IV 偏置系统,核心作用:用 10ns~1μs 窄脉冲抑制器件自热效应、电荷陷阱效应,采集等温、无记忆失真的大信号 IV 曲线,原生配套 Delta 谐波调谐器、有源 DLP 负载牵引系统,是射频功率器件建模、负载牵引测试的标准前端偏置单元。

一、基础通用核心应用(220V、600V 通用)

1. 射频功率器件脉冲 IV 基础表征

  • 消除 DC-IV 持续加热导致的电流塌陷、参数漂移,还原器件射频动态真实工作点;

  • 提取 Ids-Vds、转移特性、导通电阻 Ron、击穿电压 Vbr、饱和电流 Isat;

  • 量化 GaN 陷阱效应、电流记忆效应,对比不同工艺 / 钝化层陷阱抑制效果;

  • 高低温探针台联用,完成晶圆级(On-Wafer)脉冲 IV 批量测试(CP/WAT)

2. 负载牵引系统标配前端(适配 Delta 0.7–110GHz 谐波调谐器)

整套测试链路:Auriga PIV 脉冲偏置 → Delta 无源谐波调谐器 → VNA / 信号源

  1. 先脉冲 IV 标定器件等温工作区间,再同步开展基波 / 2/3 次谐波负载牵引;

  2. 脉冲模式下测 PAE、输出功率 Pout、线性度、压缩点,规避连续波热退化;

  3. 毫米波(24–110GHz)GaN、硅光驱动芯片片上谐波牵引标配,解决高频大功率器件发热难题;

  4. 搭配 DLP 有源负载牵引,做脉冲调制大信号射频表征(5G NR、雷达脉冲波形仿真)

  5. 3. 非线性器件模型精准提取(射频建模核心设备)

    1. 生成无热失真脉冲 IV 数据集,提取 Angelov、EEHEMT、GaN 大信号非线性模型参数;

    2. 区分热相关参数与射频动态本征参数,大幅提升功放仿真准确度;

    3. 支持 Auriga MEM 高精度电流采集(0.01% 满量程分辨率),适配低电流、大电流宽动态范围建模需求。

  6. 4. 射频功放性能优化研发

    1. 5G 宏基站、毫米波雷达、卫星通信功放 PAE、效率、线性度匹配优化;

    2. 脉冲射频工况仿真:脉冲雷达、脉冲通信发射机动态特性评估;

    3. 包络跟踪 ET、Doherty 功放器件阻抗最优负载点扫描(脉冲模式避免热烧毁芯片)。

  7. 5. 工艺可靠性与失效分析

    1. HCI 热载流子、BTI 偏置温度、动态应力脉冲加速老化测试;

    2. 脉冲动态下器件退化监测,对比新品 / 老化后 IV 曲线漂移;

    3. 器件击穿、浪涌耐受动态脉冲耐压测试,评估器件安全工作区 SOA。

  8. 二、220V 标准款专属应用场景(PHD220 漏极脉冲头,最大 220V)

  9. 适配器件耐压范围:≤200V

    1. 0.7–67GHz Delta 调谐器主流配套,高校、器件设计公司通用研发平台;

    2. 量产封装后器件成品快速脉冲 IV 筛选。

    3. 低噪声放大器 LNA、驱动级功放、射频开关、混频器脉冲 IV 表征;

    4. 卫星接收前端、测试仪器射频芯片。

    5. 5G 微基站、WiFi 6E/7 射频前端、24–40GHz 相控阵收发芯片;

    6. 毫米波短距雷达、卫星低功率 GaN 管、片上集成射频芯片。

    7. 5G FR1  Sub-6GHz 基站 LDMOS、车载射频功放、广播发射管;

    8. 移动通信功率管、AB 类线性功放、小功率脉冲雷达硅管。

    9. 硅基 LDMOS 射频功放

    10. 低压 GaN HEMT(28V/48V/100V 级)

    11. III-V 族砷化镓 GaAs、InP 器件

    12. 中小功率脉冲负载牵引实验室

  10. 三、600V 高压款专属应用场景(PHD600 漏极脉冲头,最大 600V)

  11. 适配器件耐压范围:200V ~ 600V

    1. 感应加热射频源、工业等离子高压功率器件脉冲表征;

    2. 车载高压射频功率模块动态特性测试。

    3. 毫米波大功率功放片上测试,高压脉冲偏置 + Delta 多谐波调谐联动;

    4. 大功率器件 SOA 安全工作区边界扫描,防止高压连续波击穿。

    5. 远程探测雷达、航空机载脉冲发射管;

    6. 高压脉冲调制功率晶体管,动态导通电阻 Ron 脉冲标定。

    7. SiC 射频功率管、SiC+GaN 复合功率芯片;

    8. 电力电子射频耦合器件、高压脉冲开关器件动态 IV 测试。

    9. 机载 / 舰载大功率脉冲雷达、远距离卫星通信功放;

    10. 气象雷达、电子对抗 ECM 大功率发射模块;

    11. 60–110GHz E/W 波段毫米波高压 GaN 功率芯片(搭配你提到的 Delta 110GHz 调谐器)。

    12. 高压 GaN 射频功率器件(200V/400V/600V GaN HEMT)

    13. 碳化硅 SiC 射频 / 功率复合器件

    14. 大功率固态脉冲发射机器件

    15. 高压谐波负载牵引系统

    16. 新能源、工业高压射频器件

  12. 四、行业整机 / 产线落地场景汇总


    1. 半导体晶圆厂(Foundry):GaN/SiC/GaAs 片上脉冲 IV、WAT 工艺监控、CP 探针批量测试;

    2. 射频器件设计公司:大信号建模、谐波负载牵引研发、功放性能迭代;

    3. 军工雷达 / 卫星研究所:高压脉冲 GaN、毫米波大功率发射器件表征;

    4. 通信设备厂商:5G/6G 基站、毫米波相控阵功放量产验证;

    5. 高校射频实验室:器件物理、陷阱效应、非线性建模科研;

    6. 第三方测试实验室:第三方器件表征、可靠性验证、客户来料检测。



220V 与 600V 选型快速区分

型号

核心器件适配

典型搭配 Delta 调谐器场景

220V PIV

LDMOS、低压 GaN、GaAs、Sub-6G 射频管

0.7–67GHz 中小功率谐波牵引、5G 微基站芯片

600V PIV

高压 GaN、SiC 射频管、毫米波大功率器件

24–110GHz Delta 毫米波谐波牵引、雷达高压功放


补充:若器件耐压超 600V(如 1200V/2000V SiC 功率器件),需升级 Auriga 高压系列(1200V/2000V PHD 脉冲头),不属于 Standard 220/600 产品线。


Auriga PIV System – 220 V Configuration


220V-3


  • Auriga PIV System – 600 V Configuration

    600-V-Configuration_v12MAR26


200V


220V-1

600V


600V-1