深圳市易捷测试技术有限公司
深圳市易捷测试技术有限公司
电话:0755-83698930
邮箱:dongni.zhang@gbit.net.cn
地址:深圳市福田区福虹路9号世贸广场C座1203室

Auriga 标准 脉冲PIV 220V & 600V
探针台|全自动探针台|硅光晶圆测试系统|半自动探针台|手动探针台|国产探针台|Hanwa ESD/ TLP测试仪|CDM测试机|晶圆级ESD测试仪|芯片HCI/BTI/TDDB/DCEM可靠性测试设备、满足实验室研发和晶圆厂量产的多种需求。广泛应用于:WAT/CP测试、I-V/C-V测试、RF/mmW测试、高压/大电流测试、在片wlr、在片老化burning、高低温测试、光电器件测试(硅光、CMOS,SPAD传感器等)、晶圆级失效分析、芯片ESD测试、半导体工艺可靠性验证、封装测试等领域
产品简介:
FOCUS第五代脉冲IV/RF表征系统提供无与伦比的性能,能够以极高的速度和精度完成测量。脉冲IV(电流-电压)测量已成为表征场效应晶体管(FET)和双极结型晶体管(BJT)等有源器件电流-电压特性的首选方法。
产品特点:
随着 GaN HEMT、LDMOS、SiC 及石墨烯等高功率器件日益普及,对电流与电压指标的要求也在不断提升。Auriga MEM™ 是 Auriga 推出的脉冲 IV 功能,将电流分辨率提升至最大电流的 0.01%。借助 Auriga 先进校准算法及外置是德科技(Keysight)数字万用表(DMM),Auriga MEM 可将直流测量面直接精准延伸至被测器件端。
产品功能及应用方向:
Auriga Standard PIV 是 Focus 第五代纳秒级脉冲 IV 偏置系统,核心作用:用 10ns~1μs 窄脉冲抑制器件自热效应、电荷陷阱效应,采集等温、无记忆失真的大信号 IV 曲线,原生配套 Delta 谐波调谐器、有源 DLP 负载牵引系统,是射频功率器件建模、负载牵引测试的标准前端偏置单元。
消除 DC-IV 持续加热导致的电流塌陷、参数漂移,还原器件射频动态真实工作点;
提取 Ids-Vds、转移特性、导通电阻 Ron、击穿电压 Vbr、饱和电流 Isat;
量化 GaN 陷阱效应、电流记忆效应,对比不同工艺 / 钝化层陷阱抑制效果;
高低温探针台联用,完成晶圆级(On-Wafer)脉冲 IV 批量测试(CP/WAT)
整套测试链路:Auriga PIV 脉冲偏置 → Delta 无源谐波调谐器 → VNA / 信号源
先脉冲 IV 标定器件等温工作区间,再同步开展基波 / 2/3 次谐波负载牵引;
脉冲模式下测 PAE、输出功率 Pout、线性度、压缩点,规避连续波热退化;
毫米波(24–110GHz)GaN、硅光驱动芯片片上谐波牵引标配,解决高频大功率器件发热难题;
搭配 DLP 有源负载牵引,做脉冲调制大信号射频表征(5G NR、雷达脉冲波形仿真)
生成无热失真脉冲 IV 数据集,提取 Angelov、EEHEMT、GaN 大信号非线性模型参数;
区分热相关参数与射频动态本征参数,大幅提升功放仿真准确度;
支持 Auriga MEM 高精度电流采集(0.01% 满量程分辨率),适配低电流、大电流宽动态范围建模需求。
5G 宏基站、毫米波雷达、卫星通信功放 PAE、效率、线性度匹配优化;
脉冲射频工况仿真:脉冲雷达、脉冲通信发射机动态特性评估;
包络跟踪 ET、Doherty 功放器件阻抗最优负载点扫描(脉冲模式避免热烧毁芯片)。
HCI 热载流子、BTI 偏置温度、动态应力脉冲加速老化测试;
脉冲动态下器件退化监测,对比新品 / 老化后 IV 曲线漂移;
器件击穿、浪涌耐受动态脉冲耐压测试,评估器件安全工作区 SOA。
0.7–67GHz Delta 调谐器主流配套,高校、器件设计公司通用研发平台;
量产封装后器件成品快速脉冲 IV 筛选。
低噪声放大器 LNA、驱动级功放、射频开关、混频器脉冲 IV 表征;
卫星接收前端、测试仪器射频芯片。
5G 微基站、WiFi 6E/7 射频前端、24–40GHz 相控阵收发芯片;
毫米波短距雷达、卫星低功率 GaN 管、片上集成射频芯片。
5G FR1 Sub-6GHz 基站 LDMOS、车载射频功放、广播发射管;
移动通信功率管、AB 类线性功放、小功率脉冲雷达硅管。
硅基 LDMOS 射频功放
低压 GaN HEMT(28V/48V/100V 级)
III-V 族砷化镓 GaAs、InP 器件
中小功率脉冲负载牵引实验室
感应加热射频源、工业等离子高压功率器件脉冲表征;
车载高压射频功率模块动态特性测试。
毫米波大功率功放片上测试,高压脉冲偏置 + Delta 多谐波调谐联动;
大功率器件 SOA 安全工作区边界扫描,防止高压连续波击穿。
远程探测雷达、航空机载脉冲发射管;
高压脉冲调制功率晶体管,动态导通电阻 Ron 脉冲标定。
SiC 射频功率管、SiC+GaN 复合功率芯片;
电力电子射频耦合器件、高压脉冲开关器件动态 IV 测试。
机载 / 舰载大功率脉冲雷达、远距离卫星通信功放;
气象雷达、电子对抗 ECM 大功率发射模块;
60–110GHz E/W 波段毫米波高压 GaN 功率芯片(搭配你提到的 Delta 110GHz 调谐器)。
高压 GaN 射频功率器件(200V/400V/600V GaN HEMT)
碳化硅 SiC 射频 / 功率复合器件
大功率固态脉冲发射机器件
高压谐波负载牵引系统
新能源、工业高压射频器件
半导体晶圆厂(Foundry):GaN/SiC/GaAs 片上脉冲 IV、WAT 工艺监控、CP 探针批量测试;
射频器件设计公司:大信号建模、谐波负载牵引研发、功放性能迭代;
军工雷达 / 卫星研究所:高压脉冲 GaN、毫米波大功率发射器件表征;
通信设备厂商:5G/6G 基站、毫米波相控阵功放量产验证;
高校射频实验室:器件物理、陷阱效应、非线性建模科研;
第三方测试实验室:第三方器件表征、可靠性验证、客户来料检测。
220V 与 600V 选型快速区分
型号 | 核心器件适配 | 典型搭配 Delta 调谐器场景 |
220V PIV | LDMOS、低压 GaN、GaAs、Sub-6G 射频管 | 0.7–67GHz 中小功率谐波牵引、5G 微基站芯片 |
600V PIV | 高压 GaN、SiC 射频管、毫米波大功率器件 | 24–110GHz Delta 毫米波谐波牵引、雷达高压功放 |
补充:若器件耐压超 600V(如 1200V/2000V SiC 功率器件),需升级 Auriga 高压系列(1200V/2000V PHD 脉冲头),不属于 Standard 220/600 产品线。