Focus Auriga PIV 1200V和2000V（PHD1200-100）高压脉冲 IV 系统

PHD1200和PHD2000采用先进的脉冲电路技术，可实现晶体管动态导通电阻的精确测量，具有无与伦比的速度、精度和分辨率。配合AU-5脉冲I-V/射频系统使用，这一紧凑型解决方案可提供卓越的性能。

特性与优势：

PHD1200和PHD2000支持行业最先进的大功率器件，借助组件和脉冲电路技术的突破，实现了无与伦比的速度、精度和分辨率。这些系统能够对最新晶体管的动态导通电阻进行精确测量。与AU-5脉冲IV/RF表征系统配合使用，这一紧凑且多功能的测试解决方案可模拟真实环境条件，以卓越的性能、极高的精度和速度提供测试结果。

产品功能与应用：

 一、硬件基础核心参数对比（PHD1200-100 / PHD2000-100） 两款均适配AU4850 / AU5主机，脉冲峰值电流统一100A、瞬时脉冲功率5000W、最小脉宽750ns、三态脉冲架构、Auriga MEM高精度采集，核心差异仅漏极耐压与高压配套方案：

 二、两款共通核心功能 

1. 等温无热失真脉冲IV全域扫描

纳秒窄脉冲、极低占空比，彻底消除大功率器件自热，分离热效应与本征电学特性；同步扫描Ids-Vds、转移特性、动态Rds(on)、击穿电压Vbr、饱和电流Isat；三态预脉冲主动激发电荷陷阱，定量表征GaN/SiC电流崩塌、色散效应。 

 2. 高压器件SOA安全工作区测绘

脉冲瞬时高压大电流扫描极限Vds-Id边界，区别于长时间DC高压源，大幅降低高压芯片击穿报废风险，评估浪涌、尖峰、动态击穿耐受。 

 3. 原生联动毫米波谐波负载牵引（射频方向核心）

高压脉冲偏置+Delta无源多谐波调谐器联动，完成高压毫米波GaN功放等温大信号测试；测Pout、PAE、线性度、压缩点；支持混合有源负载牵引仿真雷达/卫星脉冲射频工况，支持晶圆片上CP探针批量测试。 

 4. 宽禁带器件大信号模型精准提取

输出纯净等温IV数据集，构建高压GaN/SiC Angelov、EEHEMT紧凑模型；分离热/陷阱参数与射频动态参数，提升高压功放、电力电子开关电路仿真精度；适配晶圆WAT工艺监控、建模数据库批量采集。 

 5. 动态可靠性加速测试

支持HCI热载流子、BTI偏置温度、TDDB栅氧击穿脉冲老化；高压动态应力循环监测Ron退化、陷阱恶化；脉冲浪涌、短路耐受验证车载、军工器件长期稳定性。 

 6. 脉冲S参数联合表征（选配AU5-RF射频模块）

高压脉冲偏置下同步采集小信号S参数，同时获取器件高压瞬态开关特性与射频放大特性。 

 7. MEM高精度测量增强模式

电流测量精度达满量程0.01%，高压低电流漏电流、微小导通损耗可精准分辨，高低温环境下测量稳定性不受温度漂移干扰。 #

三、PHD1200 1200V专属功能与应用方向 

专属定位 

覆盖**600V–1200V**宽禁带器件，射频毫米波与新能源电力电子双线并重，是高压测试实验室主流通用高压配置。 

1）电力电子功率半导体应用：

1200V SiC MOSFET、SiC肖特基二极管：800V车载主逆变器、高压OBC车载充电机、光伏/储能PCS变流器、大功率直流快充模块动态损耗、开关瞬态测试； 

600–1200V级Cascode级联常开GaN HEMT：工业等离子射频源、高频感应加热、大功率快充氮化镓器件陷阱与动态Ron标定； 

风电变流器、工业变频器1200V功率器件SOA边界、批次良率CP/WAT筛选。 

2）军工毫米波射频大功率器件（搭配Delta 0.7–110GHz调谐器核心场景

60–110GHz E/W波段高压GaN毫米波功率管：机载/舰载远程脉冲雷达、电子对抗ECM大功率发射芯片； 

高轨通信卫星固态高压功放：谐波负载牵引优化峰值功率、PAE； 

气象探测雷达、远距离脉冲探测发射模块脉冲工况仿真验证。 

3）科研与第三方检测 

高校宽禁带半导体陷阱物理、自热耦合机理研究；

第三方实验室1200V SiC/GaN来料认证、失效分析、竞品对标。 

四、PHD2000 2000V专属功能与应用方向 

专属定位 覆盖1200V–2000V超高压功率器件，以电力电子为主、军工超高压射频为辅，属于高端特种高压测试配置，通用场景极少使用。 

1）超高压新能源/电网电力电子（核心应用） 

1700V/2000V SiC MOSFET、SiC IGBT：大型地面光伏1500V直流组串逆变器、陆上/海上风电大功率变流器、高压储能电站、电网级柔性直流换流阀器件动态特性测试； 

轨道交通牵引变流器2kV级功率半导体：机车牵引模块脉冲IV、开关损耗、长期应力老化验证； 

高压工业电源、特种高压脉冲发生器功率开关器件极限耐压与短路耐受测试。 

2）特种军工超高压射频器件（小众高端） 

2kV级高压脉冲射频功率管、大功率脉冲雷达发射源器件：远距离深空探测雷达、大功率脉冲电子对抗发射机； 

超高压高压级联毫米波功放（极少）：搭配定制高压隔离Delta调谐器，仅限特种军工院所。 

3）前沿新材料科研 新型2kV以上超宽禁带器件（氧化镓Ga₂O₃）、碳化硅/金刚石复合功率器件基础电学特性、陷阱、击穿机理实验室研究。 

4）高压工业装备 半导体刻蚀大功率高压射频源、大功率高压感应加热设备内部2kV功率晶体管动态IV表征。 

五、产品总结 

PHD1200（1200V）推荐选择应用：

 1. 800V车载、650V/1200V快充GaN、1200V SiC车载/光伏储能； 

2. 24–110GHz毫米波高压GaN雷达、卫星功放谐波负载牵引； 

3. 高校通用宽禁带研发、第三方常规半导体检测、晶圆厂高压CP量产测试。 

PHD2000（2000V）推荐应用场景：

1. 1500V光伏、风电、电网柔性直流、轨道交通2kV级SiC功率器件； 

2. 氧化镓等2kV以上超高压新材料研发； 

3. 特种超高压军工大功率脉冲雷达、大型工业高压射频装备； 

4. 器件额定击穿电压＞1200V，1200V系统无法覆盖安全测试区间。 

补充说明：

1. 2000V系统对测试环境绝缘要求极高，必须配套2kV高压探针、屏蔽绝缘腔体、专用高压测试线缆，不能与1200V低压高压配件混用； 

2. 两款脉冲头硬件可在同一AU主机上互换，只需更换脉冲头、配套高压配件与软件电压量程配置； 

3. 两款均为**单极性漏极脉冲**，栅极统一支持±30V双极性脉冲独立调控。