脉冲Pulsed IV 系统三合一_射频毫米波测试测量_半导体测试测量系列方案_解决方案

深圳市易捷测试技术有限公司有整套系统是三合一集成：同时包含 Pulsed IV + 负载牵引 Load Pull + S 参数测量，三个功能原生一体，不用外加其他设备。同时包含 Pulsed IV + 负载牵引 Load Pull + S 参数测量，三个功能原生一体，不用外加其他设备。

包含哪三项

Focus Pulsed IV（Auriga 系列）是Focus Microwaves的**第五代脉冲IV/RF表征系统**，

专门针对**GaN/SiC/LDMOS**等大功率射频器件，解决**自热（Self-heating）**与**陷阱效应（Charge Trapping）**，提供**准等温、无记忆效应**的大信号IV特性，是负载牵引系统的**必备前端**。

二、两大主流型号

1. Auriga Standard PIV（标准型） - 型号：PHD220‑2（220V）/ PHD600‑2（600V）

- 核心参数： - 漏极电压：**220V / 600V**可选

- 栅极电压：**±30V（双极性）**

- 脉冲宽度：**10ns～1μs**，重复频率可达**1MHz**

- 电流分辨率：**0.01% 满量程（Auriga MEM™技术）**

- 集成：可直接对接**Focus负载牵引（谐波/有源）**，同步IV+RF测试

2. Auriga Tri‑State PIV（三态型，GaN专用）

核心升级：**第三态（Pre‑Pulse）**，专门解决GaN陷阱不对称时间常数问题
三态定义：
1. **静态态（Quiescent）**：关态偏置
2. **预脉冲态（Pre‑State）**：短高压脉冲，**激活陷阱**
3. **测试态（Non‑Quiescent）**：主脉冲，测IV特性 - 关键优势：**固定陷阱状态+等温，精准表征GaN“记忆效应”

三、典型应用场景

1. **GaN HEMT/SiC MOSFET**：消除自热，测真实大信号IV

2. **5G基站功放**：LDMOS/GaN的**PAE/线性度优化**

3. **器件建模**：提取**无热/无陷阱**的非线性模型参数

4. **负载牵引前端**：先做Pulsed IV，再做**谐波负载牵引**，效率翻倍

五、与普通DC IV的区别

DC IV**：长时间加热，**热效应严重**，数据失真

Pulsed IV**：**纳秒级脉冲**，热量来不及积累，**接近真实工作状态**