Shenzhen GBIT Testing Technology Co., Ltd
A,加速环境应力测试 | 1,预处理(PC)SAT 2,有偏温度(THB)或有偏高加速应力试验(HAST) 3,高压(AC)或无偏高加速应力(UHAST)或无偏温湿度(TH) 4,温度循环(TC) 5,功率温度循环(PTC) 6,高温贮藏寿命(HTSL) | B,加速生命周期模拟测试 | 1,高温工作寿命(HTOL) 2,早期寿命失效率(ELFR) 3,非易失性存储器耐久性、数据保持性,工作寿命(EDR) |
C,封装组装 | 1,邦线剪切 2,邦线拉力 3,可焊性(SD) 4,物理尺寸 5,锡球剪切 6,引线完整性 | D,芯片制造可靠性测试 | 1,电迁移(EM) 2,电介质击穿(TDDB)热载流子注入效应(HCL) 3,负偏压温度不稳定性(NBTI) 4,应力迁移(SM) |
E,电性验证测试 | 1,应力测试和试验前后功能参数 2,静电放电人体模型/机械模式(HBM/MM) 3,静电放电带电期间模式(CDM) 4,闩锁效应(LU) 5,电分配(ED) 6,故障等级(FG)(数字电路测试向量覆盖率) 7,特性描述(CHAR) 8,电磁兼容(EMC) 9,短路特性描述(SC)功率IC器件 10,软误差率(SER)-存储器 11,无铅(锡须试验) | F,缺陷筛选测试分析 | 1,过程平均测试和实验(PAT) 2,统计式良率分析(SBA) |
G,腔封装完整性测试 | 1,机械冲击(MS) 2,振动(VFV) 3,恒加速(CA) 4,粗/细检漏测式和试验(GFL) 5,包装跌落(DROP) 6,盖板扭力测试和试验(LT) 7,芯片剪切试验(DS) 8,内部水汽含量测试和试验(IWV) | 其它 | 1,DUT描述--删减说明 2,DUT非连续三批次,2400颗 3,潮湿敏感度等级MSL=1,2,3 4,温度等级0 1 2 3 |