方案简介
描 述：
在探针台上搭载三轴低漏电探针及均匀光斑的装置（单色光斑可＜100um），配合光电探测器分析仪、半导体参数分析仪等仪器，即可实现各光电器件芯片级手动/半自动/全自动特性表征。
测试对象：
LiDAR中的光电传感器 | InGaAs光电二极管芯片 | SPAD具有单光子探测能力的光电探测雪崩二极管芯片 | 智能手表中血氧/血糖光电传感器 |
用于高增益传感和成像的光电二极管门控晶体管 | 高光电导增益和填充因子的光学传感器芯片 | 高灵敏度间接转换X射线探测器芯片 | 有机光传感器OPD、钙钛矿光传感器PPD、QPDP等芯片 |
测试指标：
光电流J-V曲线 | 暗电流J-V曲线 | EQE曲线 | 响应度曲线 |
比探测率 | LDR线性动态范围 | 瞬态时间响应 | 上升下降时间 |
特征与优势
快速、高效、稳定的光电探测器参数自动测试
应用领域
PD光电探测器
光电模块
光电器件封装
